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章源钨业申请一种 CC-SiC 复合材料及其制备方法降低熔融渗透温度、改性陶瓷基体材料并取得更好渗透效果

文章作者:小编 人气:发表时间:2024-09-19 18:41:00

  金融界 2024 年 9 月 18 日消息,天眼查知识产权信息显示,崇义章源钨业股份有限公司申请一项名为“一种 C/C-SiC 复合材料及其制备方法“,公开号 CN0.0,申请日期为 2024 年 5 月。

  专利摘要显示,本发明属于碳陶复合材料技术领域,具体涉及一种 C/C‑SiC 复合材料及其制备方法,在熔融渗透粉末当中加入包括 Si 粉、Al2O3 粉、SiC 粉、AlSi 合金粉以及稀土氧化物粉的混合粉体可以降低熔融渗透温度,同时对陶瓷基体材料进行改性;采用微波加热进行快速升温,可以缩短熔融渗透所需时间、产品致密度更好、机械性能更佳;在熔融渗透过程当中施加超波声可以取得更好的渗透效果。本发明所述 C/C‑SiC 复合材料的密度≥2.3g/cm3,抗压强度≥麻将糊了平台300MPa,弯曲强度≥305MPa,断裂韧糊了麻将pg性≥34MPa·m1/2。