[0001] 本发明设及陶瓷材料，特别地，本发明设及用于制备透明陶瓷的陶瓷材料。

　　[0002] 从现有技术已知透明陶瓷和其制备。DE10 2004 004 259B3公开了例如具有 高的机械负荷能力的多晶陶瓷，对于0. 8mm厚度的抛光盘和在600至650nm之间的波长情 况下，其具有大于理论最大值的75%的真实直线透过率巧口)，其中平均粒度D在60nm至 10μm之间的范围内。

　　[0003] 多晶陶瓷盘的透明度受各种不同的因素影响。因此必须当然地使用仅具有极其小 的光吸收的材料。此外，多晶陶瓷盘的透明度主要取决于光散射，其一方面由晶体结构和另 一方面由陶瓷体的组织结构引起。优选地使用具有立方晶系的材料，因为不发生双折射。此 夕F，如下地优化用于制备透明陶瓷的工艺，从而发生尽可能低的多孔性或孔径大小在光波 长W下，W便降低相界处的光散射。

　　[0004] 制备透明陶瓷时的另一个基本因素是高纯原材料的使用，因为大于l(K)ppm的已 经最低的杂质导致陶瓷中白色或黑色的斑点。因此，原则上仅使用具有 99. 99%，优选地 甚至于 99. 9999%的纯度的原材料。然而，运些原材料是非常昂贵的。 阳0化]本发明的任务因此在于，提供备选的陶瓷材料，其适合于制备透明陶瓷并且其比 从现有技术已知的高纯原材料成本低。

　　[0006] 该任务通过根据权利要求1的陶瓷材料得到解决。该陶瓷材料W此而出众，即它 由通过水滑石的般烧而获得的金属氧化物组成。可W优选地为此使用该材料W制备透明陶 瓷。 阳007] 根据本发明的水滑石为按照水滑石工艺制备的金属氨氧化物。本发明范围内的 透明陶瓷，理解为运样的陶瓷，其在300nm、600nm和/或1500nm光波长下拥有至少40%的RIT。就纯理论而言，透明度是不取决于厚度的，如果存在完美的材料并且由此制备完美的 陶瓷。然而，一旦陶瓷包含如上所提到的孔，就会在孔的相界处发生散射效应，其随增加的 陶瓷厚度而更强。该效应导致下降的透明度。因此，在本文件中所说的透明陶瓷是指具有 50μπι和100mm之间的壁厚的陶瓷。

　　[0008] 特别优选地，由其通过般烧获得根据本发明的陶瓷材料的水滑石通过水滑石工艺 制备。

　　[0009] 水滑石工艺是现有技术已知的。此类工艺例如在EP0 807 086B1中作了描述。 本发明中的水滑石工艺理解为运样的工艺，其包含至少下列步骤：

　　[0011] ?使金属和醇转化为金属醇盐，例如侣醇盐，并释放氨气 阳〇1引?使金属醇盐在添加水的情况下转化为金属氨氧化物，例如勃姆石，并释放醇。

　　[0013] 根据本发明的一个特别优选的实施方案，通过般烧从金属氨氧化物获得的金属氧 化物，可W包含100至5(K)ppm之间，优选地100至2(K)ppm之间的杂质，特别是化、Μη、化、 V、化、Sn、Ti、Si、Zr、Ca、化、Κ、Li、Υ、Ni、Co、Cu。运是特别有利的，因为对原材料的纯度提 出了比在根据现有技术的材料的情况下更低的要求。通常，在此仅使用具有 99. 99%的纯 度的原材料或具有lOOppm杂质的原材料。所需要的较低纯度，其不有损于透明度，因此 使使用明显价格上有利的原材料成为可能。

　　[0014] 推测较高的杂质程度是可能的，因为杂质非常分散地和非常均匀地，可能在原子 水平上，存在于材料中。它们无论如何不形成分离的相，例如晶界相化orngrenzphase)，其 在烧结的陶瓷中会导致透明度的下降。推测杂质嵌入金属氧化物的晶格中。运意味着金属 阳离子在尖晶石晶格中的嵌入，例如阳离子晶格、填隙空间(Zwischengitterp城ze)等。

　　[0015] 在运种情况下令人意外的是，不仅观察不到透明度的降低，而且此外也不发生陶 瓷的明显着色。特别地，用根据本发明的原材料可制备运样的透明陶瓷，其在300皿至 700皿之间，特别是在300皿和700皿下具有 10 %的RIT-值偏差和因此达到高的白度值。

　　[0016] 优选地，通过水滑石工艺制备金属氨氧化物，其金属氧化物具有立方晶系。除了氧 化物例如Al2〇3或MgO,特别优选地制备尖晶石，特别是Mg-A^尖晶石。但是，透明陶瓷也 可从Zr〇2,Y和A1的混合氧化物W及A1、N、0的混合材料或者甚至非立方氧化侣用该工艺 优选地制备。

　　[0017] 与现有技术，例如DE10 2004 004 259B3相反，可W在使用根据本发明的材料的 情况下完全放弃烧结辅料的使用。烧结辅料使在较少的晶粒生长情况下使用更低的烧结溫 度成为可能。然而，烧结辅料必须借助于挥发性化合物例如LiF至少部分地再被除去，因为 它们否则就会W分离的相存在于陶瓷中，运反过来会对透明度具有不利的影响。该添加料 在使用根据本发明的陶瓷材料W制备透明陶瓷的情况下不是必需的。

　　[0020] 使用按照水滑石工艺制备的具有总共40化pm杂质的MgOAl2〇3-原材料，具有下列 组成（ICP-分析）：

　　[0032] 将1500g原材料拌入1500g具有7%巧樣酸氨二氨的去离子水中。将经如此预均 匀化的浆料用揽拌球磨机巧00μπι-Α?2〇3-研磨珠）研磨运样久，直至取得1. 60kWh/kg的 能量输入。随后存在下列粒度分布：贴0 :375皿，d50 :224皿，dlO:138nm(用Microtrac的 Nanoflex测量仪测量的）。比表面积度ET)为25. 5m7g。

　　[0033] 给如此预备的浆料渗入6%的短链聚乙二醇并借助于喷雾冷冻法颗粒化。在冷冻 干燥之后，存在从具有2. 17g/cm3的生;t丕密度（Nettogrilndichte)的样本形成的可压制颗 粒。将运在1455°C下预烧结2小时至3. 519g/cm3,随后在1650°C下在200MPa下恒溫再压 缩化IP=热等静压）6小时。

　　[0038] 使用按照水滑石工艺制备的具有23化pm杂质的MgOAlzO厂原材料，具有下列组成 (ICP-分析）：

　　[0054] 给如此预备的浆料渗入6%的短链聚乙二醇并借助于喷雾冷冻法颗粒化。在冷冻 干燥之后，存在从具有2. 07g/cm3的生巧密度的样本形成的可压制颗粒。将运在1400°C下 预烧结2小时至3. 512g/cm3,随后在1650°C下在200MPa下恒溫再压缩6小时。 阳化5] 将样品为了透射测量，打磨和抛光至2mm厚度。

　　[0057] 300nm:60%，600nm:71%，700nm:75%，

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